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无线和射频半导体
STAC9200参考图片

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STAC9200

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W 32V HF to 1.3GHz LDMOS transistor in STAC package
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库存:54,203(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,281.1488
1281.1488
5
¥1,250.345
6251.725
10
¥1,219.2926
12192.926
25
¥1,202.2409
30056.0225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
3 A
增益
18 dB
输出功率
230 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC244B
工作频率
1.3 GHz
系列
STAC9200
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.5 S
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格,STAC9200的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 6 GHz-18 GHz GaAs pHEMT
50:¥228.373
100:¥216.9148
200:¥210.1574
参考库存:4777
无线和射频半导体
射频放大器 DC-6000MHz 20.5dB Gain@900MHz
1:¥23.8995
25:¥18.2834
100:¥14.2945
250:¥11.8311
3,000:¥9.2999
参考库存:29274
无线和射频半导体
射频收发器 Dual Band I/Q Radio, 48QFN, Tray
1:¥37.4256
10:¥36.8832
25:¥34.0356
参考库存:4776
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs PHEMT MMIC Med PA, 5 - 18 GHz
1:¥222.1467
5:¥209.9992
10:¥204.9368
25:¥184.19
500:¥158.9006
参考库存:7688
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
参考库存:5090
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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