ISL55016IRTZ-T7详细信息_ISL55016IRTZ-T7相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	UTQFN-EP-6
类型	General Purpose Amplifier
工作频率	3000 MHz
增益	12.9 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	5.4 dB
OIP3 - 三阶截点	61.7 dBm
工作电源电流	117 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	ISL55016
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
带宽	2200 MHz
商标	Renesas / Intersil
通道数量	1 Channel
输入返回损失	6.9 dB
隔离分贝	36.3 dB
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	1000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大	5.5 V
电源电压-最小	4.5 V
单位重量	5.620 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STM32WB55CCU6	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC	1:¥46.104 10:¥41.6518 25:¥39.7308 100:¥34.4989	参考库存:56008
NRF24LE1-Q48-SAMPLE	Nordic Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 2.4GHz SoC RF Xcvr 48 Pin 1.9-3.6V	1:¥47.1775 10:¥43.2564 25:¥39.3466 100:¥35.3464	参考库存:56013
UM9401F	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管	1:¥86.6032 10:¥77.9135 25:¥70.9979 100:¥64.0823	参考库存:56018
MMRF1015GNR1	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015GN/FM2///REEL 13 Q2 DP	1:¥157.9062 5:¥150.9906 10:¥145.6909 25:¥127.0911 500:¥109.6552	参考库存:56023
AT0603T01ECAS3	American Technical Ceramics (ATC)	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 1db 1W 0603 DC to 20GHz	1:¥209.8523 10:¥192.2582 25:¥174.811 50:¥165.8162	参考库存:56028