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无线和射频半导体
PD57060S-E参考图片

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PD57060S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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库存:53,000(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥415.6253
415.6253
5
¥406.3254
2031.627
10
¥390.4263
3904.263
25
¥377.8268
9445.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.3 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57060S-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57060S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 10-1000MHz NF 6.0dB Gain 12dB
1:¥1,005.4514
参考库存:26502
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-4GHz IL:1.2dB mx -40C to +85C
1:¥59.4719
10:¥53.562
25:¥48.7143
100:¥44.0248
3,000:¥30.0467
参考库存:16115
无线和射频半导体
射频放大器 DC-3500MHz NF3.4dB P1dB 19.4dBm
1:¥26.5098
25:¥19.9784
100:¥15.594
参考库存:3952
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC QFN48 2.4 G 19 dB BLE/proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 31GPIO
1:¥86.1399
10:¥81.3713
25:¥78.987
50:¥76.5349
100:¥71.7663
参考库存:2419
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz Gain 22dB NF 2.5dB GaAs
1:¥223.2993
25:¥210.3156
100:¥198.8574
250:¥187.4896
参考库存:1616
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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