HMC213BMS8E详细信息_HMC213BMS8E相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频混合器
RoHS	是
射频	1.5 GHz to 4.5 GHz
转换损失——最大	10 dB
LO频率	1.5 GHz to 4.5 GHz
中频	DC to 1.5 GHz
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	MSOP-8
系列	HMC213B
技术	GaAs
商标	Analog Devices
开发套件	EV1HMC213BMS8
OIP3 - 三阶截点	21 dBm
P1dB - 压缩点	11 dBm
Pd-功率耗散	1.424 W
产品类型	RF Mixer
工厂包装数量	1
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ADL5542ACPZ-R7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 50MHz-6GHz RF/IF Gain Block	1:¥30.0467 10:¥26.8149 25:¥24.1255 50:¥23.052 1,500:¥14.5996	参考库存:10163
CC430F6137IRGCT	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 16B Ultra-Low-Pwr MCU,32KB Fl,2KB RAM	1:¥49.8669 10:¥45.1096 25:¥41.7196 100:¥37.3465 250:¥35.4255	参考库存:3100
BFP520FH6327XTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥3.2996 10:¥2.7798 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 3,000:¥1.11418	参考库存:16787
BF771E6327HTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW	1:¥3.616 10:¥2.5764 100:¥1.1865 1,000:¥0.91417 3,000:¥0.77631	参考库存:45494
BFU520WX	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor	1:¥3.3787 10:¥2.7685 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 3,000:¥1.1526	参考库存:50746