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无线和射频半导体
BFU530XAR参考图片

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BFU530XAR

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.6103
26.103
100
¥1.6159
161.59
1,000
¥1.2317
1231.7
3,000
¥1.07576
3227.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
10 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT143B-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
65 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067707215
单位重量
8.870 mg
商品其它信息
优势价格,BFU530XAR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 1-8GHz 10 Watt GaN
10:¥11,526.00
参考库存:2256
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Any-frequency jitter attenuating clock
1:¥240.8934
10:¥226.678
25:¥219.6042
50:¥212.4626
参考库存:5918
无线和射频半导体
衰减器 .05-6GHz 7 BIT GCR31.75dB Step.25dB
1:¥29.4252
25:¥22.5887
100:¥17.6732
250:¥14.5996
2,500:¥10.0683
参考库存:33050
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 8 kB +13 dBm
1:¥29.041
10:¥27.4364
25:¥26.5889
50:¥25.8205
参考库存:6037
IDT
无线和射频半导体
衰减器 RF Attenuator 1.1dB 1MHz to 3000MHz
1:¥60.8618
10:¥55.7881
25:¥50.7144
50:¥48.1832
参考库存:3899
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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