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无线和射频半导体
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D5001UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-50V-175MHz SE
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数量单价合计
1
¥428.383
428.383
10
¥378.2788
3782.788
25
¥343.1697
8579.2425
50
¥321.8805
16094.025
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
16 dB
输出功率
20 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DA
配置
Single
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D5001UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFX1K80N-88MHZ
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-88MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:55903
RFUV1702SR
Qorvo
无线和射频半导体
上下转换器 RFUV1702
1:¥413.0941
25:¥351.1588
100:¥299.5178
参考库存:55908
CA231
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 10-250MHz NF 1.7dB Pout 10dBm SMA Conn.
1:¥3,731.7346
10:¥3,598.4172
25:¥3,465.1789
参考库存:55913
STAC2932BW
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:55918
MRFE8VP8600HSR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600HS/CFM4F///REEL 13
1:¥1,163.1316
5:¥1,140.3056
10:¥1,087.1278
25:¥1,064.3131
50:¥1,064.3131
参考库存:55923

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