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无线和射频半导体
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AFT20S015NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2
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数量单价合计
500
¥156.0643
78032.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
133 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
17.6 dB
输出功率
1.5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2111 MHz to 2170 MHz
系列
AFT20S015N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935321859528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格，AFT20S015NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F2932NBGP8
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC F2932 RF Switch
1:¥30.1258
10:¥26.894
25:¥24.2046
100:¥22.0576
2,500:¥14.3736
参考库存:14560
SI4063-B1B-FMR
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频发射器 +20 dBm sub-GHz transmitter
1:¥15.7522
10:¥15.5262
25:¥15.2098
50:¥14.9047
2,500:¥14.3736
参考库存:11777
AG303-63G
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 DC-6000MHz 20.5dB Gain@900MHz
1:¥16.4415
25:¥12.5995
100:¥9.831
250:¥8.1473
3,000:¥6.3732
参考库存:11184
HMC305SLP4ETR
Analog Devices
无线和射频半导体
衰减器 5-bit attenuator with 2 dB bits
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
500:¥58.9408
参考库存:3261
GRF2710
Guerrilla RF
无线和射频半导体
射频放大器 8-13GHz GaAs Gain 13.9dB
1:¥30.736
10:¥29.1992
100:¥26.9731
250:¥23.8204
2,500:¥10.2943
参考库存:13518

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    50万现货SKU

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