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无线和射频半导体
PD57006S-E参考图片

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PD57006S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥124.4017
124.4017
10
¥114.4125
1144.125
25
¥109.6552
2741.38
100
¥96.5924
9659.24
250
¥91.8238
22955.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57006-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57006S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 GPS/GNSS Low-Noise Amplifier
1:¥11.2209
10:¥10.5994
25:¥8.4524
50:¥8.0682
2,500:¥5.4918
参考库存:10446
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR
1:¥43.4146
10:¥42.6462
25:¥41.8778
50:¥41.0303
参考库存:6968
无线和射频半导体
射频放大器 1.6 Watt pow amp SMT, 0.4 - 2.2 GHz
1:¥155.0586
10:¥142.5382
25:¥136.617
100:¥120.4128
500:¥112.1073
参考库存:5610
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥6.3732
10:¥5.4805
100:¥4.2149
500:¥3.7177
3,000:¥2.6103
参考库存:18572
无线和射频半导体
射频接收器 FM RDS/TMC enhanced, short antenna capable
1:¥103.1238
10:¥101.2028
25:¥99.3496
50:¥97.4286
参考库存:6249
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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