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无线和射频半导体
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D2003UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz PP
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数量单价合计
1
¥708.1597
708.1597
10
¥625.3194
6253.194
25
¥554.943
13873.575
50
¥496.9966
24849.83
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DQ
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
35 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2003UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
1:¥43.0304
10:¥38.42
25:¥34.578
100:¥31.5044
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无线和射频半导体
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1:¥1,350.0788
5:¥1,319.953
10:¥1,292.9121
25:¥1,273.849
50:¥1,227.5981
参考库存:2375
无线和射频半导体
射频接收器 Precision, Ultra-Fast, Low IQ Overvoltage Protector with OVLO 5.2V
1:¥11.1418
10:¥10.5316
25:¥8.3733
50:¥7.9891
2,500:¥5.0511
参考库存:14377
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230
1:¥2,059.0069
5:¥2,013.1289
10:¥1,971.9404
25:¥1,942.8203
50:¥1,872.2857
参考库存:2454
无线和射频半导体
RF 开关 IC .1-3.0GHz DPxDT GaAs IL .3dB Iso 28dB
1:¥6.3054
10:¥5.6726
25:¥4.9042
100:¥4.4296
3,000:¥3.6612
参考库存:19036
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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