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无线和射频半导体

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AFT09S200W02NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
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数量单价合计
1
¥798.6727
798.6727
5
¥783.1578
3915.789
10
¥757.3373
7573.373
25
¥725.2905
18132.2625
250
¥650.2924
162573.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Reel
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
935311675528
单位重量
3.197 g
商品其它信息
优势价格,AFT09S200W02NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V-1GHz SE
100:¥179.5005
参考库存:42814
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5,000:¥23.8204
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无线和射频半导体
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2,500:¥39.7986
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无线和射频半导体
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4,000:¥30.8151
参考库存:42831
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