HMC442LC3BTR详细信息_HMC442LC3BTR相关参数PDF_Analog Devices / Hittite-维基芯城

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LC3B-12
类型	Medium Power Amplifier
技术	GaAs
工作频率	17.5 GHz to 25.5 GHz
P1dB - 压缩点	22 dBm
增益	13 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	8 dB
OIP3 - 三阶截点	26 dBm
工作电源电流	84 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC442G
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	10 dB
Pd-功率耗散	0.491 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	100
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TEF6686HN/V102K	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	调谐器 Low IF tuner high performance one-chip	1:¥58.6244 10:¥52.9405 25:¥50.4884 100:¥43.8779	参考库存:13753
GRF2080	Guerrilla RF	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 .4-1.5GHz GaAs Gain 21dB	1:¥26.1256 10:¥24.8148 100:¥22.8938 250:¥20.2835 2,500:¥8.7575	参考库存:10775
RF6569TR13	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 868 - 928 MHz 29 dBm	1:¥37.6516 100:¥33.3463 250:¥27.9675 500:¥23.6622 2,500:¥12.9046	参考库存:6627
SI4355-B1A-FM	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频接收器 -116 dBm sub-GHz receiver	1:¥12.4526 10:¥12.2153 25:¥11.9893 50:¥11.8311	参考库存:25894
MAX2644EXT+T	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2.4GHz SiGe High Variable IP3	1:¥39.3466 10:¥35.1204 25:¥31.5835 50:¥25.8205 2,500:¥17.3681	参考库存:13051