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无线和射频半导体
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MRF8372LF

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库存：3,780(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.815
288.15
25
¥25.9674
649.185
50
¥23.052
1152.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tray
工作频率
800 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
2.2 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，MRF8372LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ATR4251C-TKQY
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频放大器 COM.RADIO-Low-noise antenna amplifier
1:¥24.3628
10:¥21.7412
25:¥19.5942
50:¥18.3625
参考库存:28713
A513
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 10-500MHz NF 5.5dB Gain 20.0dB
1:¥1,791.5246
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RFFM8500SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 4.9-5.85GHz FEM WiFi 802.11a/n/ac
1:¥18.9049
100:¥18.9049
200:¥17.3681
参考库存:3831
BFP 720FESD H6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.068
10:¥3.3674
100:¥2.0566
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:18293
QPA4363CSR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 50-4000MHz 3V SiGe Gn 13.6dB -40C +105C
1:¥25.5832
25:¥19.2891
100:¥15.0629
参考库存:7205

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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