HMC452QS16GE详细信息_HMC452QS16GE相关参数PDF_Analog Devices / Hittite-维基芯城

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QSOP-16
类型	Power Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	0.4 GHz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点	31 dBm
增益	9 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	7.5 dB
OIP3 - 三阶截点	48 dBm
工作电源电流	485 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC452
封装	Cut Tape
产品	InGaP/GaAs HBT
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	11 dB
Pd-功率耗散	2.7 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	288 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CC2541F128RHAT	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC RF Bluetooth SMART SOC BLE	1:¥29.3574 10:¥26.3516 100:¥21.5943 250:¥20.2044 500:¥18.3625	参考库存:6841
A82-1	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 20-250MHz NF 2.8dB Gain 19.0dB	1:¥1,344.0898	参考库存:4948
BFR 380F H6327	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥3.616 10:¥2.3504 100:¥1.01474 1,000:¥0.77631 3,000:¥0.59212	参考库存:244920
CC1200RHBT	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 Low Pwr,High Perf RF Xcvr	1:¥38.7251 10:¥34.804 100:¥28.5099 250:¥26.7358 500:¥24.2046	参考库存:10217
TGF2018	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm	100:¥44.7932 300:¥41.8778 500:¥39.1093 1,000:¥36.5781 2,500:¥36.4199	参考库存:5924