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无线和射频半导体

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BFR 193L3 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.07576
1075.76
15,000
¥0.791
11865
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR193L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 30 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.08 A
Pd-功率耗散
580 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR193L3E6327XT BFR193L3E6327XTMA1 SP000013557
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 193L3 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,461.0335
2:¥1,425.8453
5:¥1,405.0194
10:¥1,385.1201
参考库存:5349
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Fractional-N Freq Synthesizer
1:¥45.1774
10:¥40.341
25:¥36.273
50:¥34.578
1,500:¥26.894
参考库存:8756
无线和射频半导体
射频放大器 MMIC
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
5,000:¥2.2939
参考库存:30333
无线和射频半导体
射频收发器 Sub-1GHz IEEE 802.15.4 Transceiver,48QFN
1:¥30.3518
10:¥29.8885
25:¥27.6624
4,000:¥25.8996
参考库存:30727
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 17 - 24 GHz
1:¥481.1766
5:¥466.577
10:¥451.9774
25:¥437.4456
参考库存:5570
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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