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无线和射频半导体
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PD85004

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥24.8148
24.8148
10
¥21.131
211.31
100
¥18.2834
1828.34
250
¥17.3681
4342.025
2,500
¥12.5204
31301
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
4 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85004
类型
RF Power MOSFET
宽度
2.6 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
6 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格，PD85004的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC661LC4BTR
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10:¥43.1886
25:¥41.9569
50:¥40.6461
参考库存:56837

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