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无线和射频半导体
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AFT05MS031NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
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数量单价合计
1
¥93.7448
93.7448
10
¥86.219
862.19
25
¥82.377
2059.425
100
¥72.772
7277.2
500
¥62.8506
31425.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 40 V
增益
19 dB
输出功率
33 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
136 MHz to 520 MHz
系列
AFT05MS031N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
5.8 S
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
294 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 VDC
零件号别名
935325665528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格，AFT05MS031NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MPS2R11-608
Microchip / Microsemi
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2,000:¥79.5294
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RFFM4554TR7
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100:¥116.4126
250:¥106.1183
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17,500:¥5.876
参考库存:44038

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