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无线和射频半导体
NPT1012B参考图片

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NPT1012B

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
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数量单价合计
1
¥1,078.6754
1078.6754
2
¥1,048.866
2097.732
5
¥1,024.8196
5124.098
10
¥994.9198
9949.198
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
4 mA
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
44 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
4 GHz
商标
MACOM
P1dB - 压缩点
43 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
220 mg
商品其它信息
优势价格，NPT1012B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BGU8009,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频放大器 BGU8009/XSON6///REEL 7 Q1 NDP
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
5,000:¥1.8758
参考库存:50817
ADF4360-5BCPZRL7
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Intg Integer-N VCO Out Freq 1200-1400
1:¥53.0987
10:¥47.799
25:¥44.9514
50:¥42.262
1,500:¥28.9732
参考库存:9704
HMC579-SX
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs PHEMT MMIC ADA 32 - 46 GHz Output
2:¥804.9781
6:¥778.9994
10:¥763.4845
26:¥732.3643
参考库存:2746
HMC253AQS24E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
RF 开关 IC SP8T Non-Reflective Swt , DC - 3.5 GHz
1:¥145.3858
10:¥133.6225
25:¥128.0968
100:¥112.8757
参考库存:3723
HMC904LC5
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
上下转换器 GaAs MMIC I/Q Downconverter, 17 - 24 GHz
1:¥608.4937
5:¥598.8887
10:¥578.0628
25:¥559.011
参考库存:2760

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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