LT5512EUF#PBF详细信息_LT5512EUF#PBF相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频混合器
RoHS	是
射频	0.001 MHz to 3000 MHz
NF—噪声系数	13.4 dB
LO频率	0.001 MHz to 3000 MHz
中频	0.001 MHz to 2000 MHz
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-16
封装	Tube
系列	LT5512
商标	Analog Devices
增益	2 dB
OIP3 - 三阶截点	13 dBm
工作电源电流	56 mA
工作电源电压	4.5 V to 5.25 V
P1dB - 压缩点	6.2 dBm
产品类型	RF Mixer
工厂包装数量	91
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	200 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SMP1307-003LF	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 Ls=1.5nH SOT-23 Common Anode	1:¥10.2943 10:¥9.2208 25:¥7.9891 100:¥7.2207 3,000:¥4.2714	参考库存:12584
ADF4153BRUZ	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Fractional-N Freq Synthesizer	1:¥45.1774 10:¥40.341 25:¥36.273 50:¥34.578	参考库存:2101
BGA622H6820XTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 RF SILICON MMIC	1:¥10.2943 10:¥8.7575 100:¥6.7574 500:¥5.9777 1,000:¥4.7234 3,000:¥4.7234	参考库存:10833
BFU530AVL	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor	1:¥3.0736 10:¥2.4973 100:¥1.5255 1,000:¥1.1865 10,000:¥0.9379	参考库存:47095
F1951NBGI	IDT	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 6Bit, 31.5dB Max .5dB Step Attenuator	1:¥51.0195 10:¥45.5616 25:¥41.0303 50:¥39.1884	参考库存:4352