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无线和射频半导体
MRFE6VP5600HR6参考图片

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MRFE6VP5600HR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
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库存:2,402(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,020.277
1020.277
5
¥1,000.5359
5002.6795
10
¥967.4947
9674.947
25
¥926.5322
23163.305
150
¥830.7986
124619.79
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
25 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP5600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935310538128
单位重量
13.155 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP5600HR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU RF Bluetooth SMART SOC with USB BLE
1:¥32.0468
10:¥28.815
100:¥23.5944
250:¥22.1254
2,500:¥16.0573
参考库存:38080
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC BGA125 dual 19 dB mesh multi-protocol 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO
1:¥106.1974
10:¥100.2762
25:¥97.3608
50:¥94.2872
100:¥88.4451
参考库存:4837
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC F2932 RF Switch
1:¥30.1258
10:¥26.894
25:¥24.2046
100:¥22.0576
参考库存:4954
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU BLUETOOTH SIMPLELINK WIRELESS MCU
1:¥49.4827
10:¥44.7254
25:¥41.3354
100:¥36.9623
250:¥35.1204
参考库存:5836
无线和射频半导体
衰减器 DC-2GHz 4 Bit 1dB steps to 15dB
1:¥48.8725
10:¥37.7307
100:¥34.352
250:¥31.0411
1,000:¥22.7469
参考库存:13288
  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

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