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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	衰减器
RoHS	是
封装 / 箱体	QFN-20
最大衰减	31.5 dB
最大频率	4 GHz
位数	6 bit
通道数量	1 Channel
阻抗	50 Ohms
最大 VSWR	-
衰减器步长	0.5 dB
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 105 C
封装	Tray
功率额定值	1.5 W
系列	F1912
技术	Silicon
类型	Digital Attenuator
商标	IDT
介入损耗	33 dB
安装风格	SMD/SMT
最小频率	1 MHz
工作电源电压	3 V to 5.25 V
产品类型	Attenuators
工厂包装数量	490
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	Glitch-Free
零件号别名	F1912 IDTF1912NLGK
单位重量	123 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
AS3956-ATWT-I3	ams	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 AS3956-ATWT-I3 WLP LF T&R	12,000:¥5.0285	参考库存:46286
8V97051ANLGI	IDT	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Low Power Wideband Fractional RF Synthesizer	490:¥75.3823 980:¥70.4668	参考库存:46291
NJG1523KB2-TE1	NJR	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC SPDT	3,000:¥4.972	参考库存:46296
GC4904-12	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管	70:¥112.5706 100:¥109.3388 250:¥99.7338 500:¥93.2815	参考库存:46301
D2015UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-500MHz SE	50:¥390.1212 100:¥379.3636	参考库存:46306