LT5526EUF#PBF详细信息_LT5526EUF#PBF相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频混合器
RoHS	是
射频	0.1 MHz to 2000 MHz
NF—噪声系数	13.7 dB
LO频率	0.1 MHz to 2500 MHz
中频	0.1 MHz to 1000 MHz
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-16
封装	Tube
系列	LT5526
商标	Analog Devices
增益	0.4 dB
OIP3 - 三阶截点	14.1 dBm
工作电源电流	28 mA
工作电源电压	3.6 V to 5.3 V
P1dB - 压缩点	1 dBm
产品类型	RF Mixer
工厂包装数量	91
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	200 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BAR 64-05 E6327	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 Silicon PIN Diode 150V 100mA	1:¥2.3843 10:¥1.9549 100:¥0.68365 1,000:¥0.46895 3,000:¥0.35369	参考库存:48025
BFP 540ESD H6327	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥4.4522 10:¥3.7516 100:¥2.2939 1,000:¥1.7628 3,000:¥1.5029	参考库存:18177
MAX2150ETI+	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	调节器/解调器 I/Q Mod w/Sig Delt Fractional-N Synth	1:¥179.6474 10:¥169.6582 25:¥135.6226 50:¥128.933	参考库存:3364
MICRF218AYQS	Microchip Technology / Micrel	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频接收器 (Not Recommended for New Designs)300MHz to 450MHz, 3.0V to 3.6V, <10kbps, 4mA, Wide-IF Bandwidth ASK Receiver wit	1:¥20.4417 10:¥20.1366 25:¥18.8258 100:¥16.9839	参考库存:5326
STAC2942BW	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch	1:¥919.0064 5:¥902.1016 10:¥861.5346 25:¥832.7874	参考库存:3413