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无线和射频半导体
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HFA3102BZ96

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 15
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数量单价合计
1
¥45.6407
45.6407
10
¥41.2676
412.676
25
¥39.3466
983.665
100
¥34.1938
3419.38
2,500
¥24.973
62432.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
HFA3102
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
12 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Hex
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-14
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 3 V
高度
1.5 mm
长度
8.65 mm
工作频率
10000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.9 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
10000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.03 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
130 mg
商品其它信息
优势价格，HFA3102BZ96的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VRF151MP
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥745.8904
2:¥722.7593
5:¥722.522
10:¥699.244
参考库存:5925
SKY65050-372LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz
1:¥14.4414
10:¥12.9837
25:¥11.3678
100:¥10.4525
3,000:¥6.6444
参考库存:35922
MA4PK2002
MACOM
无线和射频半导体
PIN 二极管 2000Vr 1.2Vf Ct=3.2pF -65C +175C
1:¥449.8191
5:¥420.3939
参考库存:5974
ST25TA02K-PC6H5
STMicroelectronics
无线和射频半导体
RFID应答器 MEMORY
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
5,000:¥1.3334
参考库存:11331
A2T23H300-24SR6
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,128.2372
5:¥1,103.0382
10:¥1,080.5286
25:¥1,064.5391
150:¥1,002.8411
参考库存:31320

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    物料均可追溯

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