您好!欢迎来到维基芯城 登录 注册

产品分类

无线和射频半导体
BGA7L1BN6E6327XTSA1参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

BGA7L1BN6E6327XTSA1

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:77,910(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9324
39.324
100
¥2.5312
253.12
1,000
¥2.034
2034
15,000
¥1.5933
23899.5
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSNP-6-2
类型
Low Noise
技术
Silicon
工作频率
716 MHz to 960 MHz
P1dB - 压缩点
- 1 dBm
增益
13.6 dB
工作电源电压
1.5 V to 3.6 V
NF—噪声系数
0.75 dB
测试频率
840 MHz
OIP3 - 三阶截点
5 dBm
工作电源电流
4.9 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
通道数量
1 Channel
输入返回损失
12 dB
隔离分贝
21 dB
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
15000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名
7L1BN6 BGA E6327 SP001402782
商品其它信息
优势价格,BGA7L1BN6E6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,529.1951
2:¥1,492.391
5:¥1,470.5594
10:¥1,449.7448
参考库存:1092
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥16.9048
10:¥16.0573
100:¥14.8256
250:¥13.1419
2,500:¥5.6613
参考库存:12404
无线和射频半导体
射频发射器 8051 Sub-GHz RF transmitter
1:¥19.5942
10:¥18.5207
25:¥17.9783
50:¥17.4472
参考库存:3011
无线和射频半导体
射频前端 0.5-1.1GHz Adj RF Predistorter
1:¥165.8162
10:¥160.6747
25:¥140.0748
50:¥130.9331
参考库存:1268
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 6-18GHz 6-Bit DPS LSB 5.625
1:¥922.08
25:¥753.032
100:¥622.404
参考库存:1115
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市维基鸿电子有限公司

电话:13148740189

手机:13590238352

传真:0755-82563613

Email: 1076822082@QQ.COM

Q Q:

地址:赛格科技园2栋1008


微信联系我们

深圳市维基鸿电子有限公司版权所有©2018-2024 粤ICP备2022041120号

24小时在线客服
热线电话

0755-82563613

微信联系我们 微信扫码联系我们