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无线和射频半导体
BGB 741L7ESD E6327参考图片

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BGB 741L7ESD E6327

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库存:381,616(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6331
66.331
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.4974
2248.7
7,500
¥3.0397
22797.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-7-1
类型
ESD-Robust Broadband LNA MMIC
工作频率
50 MHz to 5.5 GHz
P1dB - 压缩点
- 6.5 dBm
增益
20 dB
工作电源电压
3 V
NF—噪声系数
1.05 dB
测试频率
1.5 GHz
OIP3 - 三阶截点
1 dBm
工作电源电流
10 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BGB741L7
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
120 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
7500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大
4 V
电源电压-最小
1.8 V
零件号别名
BGB741L7ESDE6327XT BGB741L7ESDE6327XTSA1 SP000442946
单位重量
2 mg
商品其它信息
优势价格,BGB 741L7ESD E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H
1:¥2,904.6311
5:¥2,859.9848
10:¥2,817.4177
25:¥2,756.635
50:¥2,714.2939
参考库存:55349
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-20 GHz GaAs
50:¥271.0192
100:¥250.6566
200:¥242.8144
参考库存:55354
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64 kB M3, +13 dBm EZRadio, QFN64 wireless MCU
1:¥33.5836
10:¥31.7304
25:¥30.8151
50:¥29.8094
参考库存:55359
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise hi IP3 amp Chip, 12 - 17 GHz
25:¥481.1766
100:¥448.5196
参考库存:55364
无线和射频半导体
射频放大器 100-2000MHz NF 3.5dB Pout 21dBm SMA Conn.
1:¥5,076.5928
10:¥4,895.3182
参考库存:55369
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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