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无线和射频半导体
BFU550WX参考图片

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BFU550WX

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
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库存:71,714(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4352
34.352
100
¥2.1018
210.18
1,000
¥1.6159
1615.9
3,000
¥1.3786
4135.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
15 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT323-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067695115
单位重量
5.569 mg
商品其它信息
优势价格,BFU550WX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 4pin 50ohm +/- 0.3dB Attenuation 5dB
1:¥1.3108
50:¥0.99892
100:¥0.95259
500:¥0.73789
1,000:¥0.61472
4,000:¥0.53788
参考库存:23823
无线和射频半导体
射频发射器 SX1243 IN DFN PCKGE (MLPD-UT)
1:¥11.2209
10:¥8.9948
100:¥5.9551
1,000:¥4.7008
3,000:¥4.1697
参考库存:30665
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
1:¥354.4584
250:¥354.4584
参考库存:5752
无线和射频半导体
衰减器 .05-6GHz 7 BIT GCR31.75dB Step.25dB
1:¥33.1203
25:¥25.3572
100:¥19.8202
250:¥16.4415
2,500:¥11.3678
参考库存:16689
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN32 sub-GHz extended 19.5 dB proprietary 256 kB 32 kB (RAM) 16GPIO SoC
1:¥46.6464
10:¥45.7989
25:¥44.8723
50:¥43.1886
参考库存:5521
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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