BGA2818,115详细信息_BGA2818,115相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	NXP
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
类型	MMIC Amplifier
工作频率	0 Hz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点	4 dBm
增益	30 dB
工作电源电压	3.3 V
NF—噪声系数	3.3 dB
测试频率	2.15 GHz
OIP3 - 三阶截点	14 dBm
工作电源电流	19.9 mA
最大工作温度	+ 125 C
系列	BGA2818
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	NXP Semiconductors
Pd-功率耗散	200 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	3000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大	3.6 V
电源电压-最小	3 V
零件号别名	935294008115
单位重量	5.464 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC829LP6GE	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL PLL + VCO 2700-4200MHz	1:¥162.2906 5:¥153.3749 10:¥149.6798 25:¥134.5491	参考库存:34237
AD9901KPZ	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Ultrahigh Spd Phase/ Freq Discriminator	1:¥65.7773 10:¥59.1668 25:¥55.6299 50:¥52.3303	参考库存:3134
RN142GT2R	ROHM Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 HIGH FREQUENCY	1:¥3.2318 10:¥2.2261 100:¥1.02152 1,000:¥0.78422 8,000:¥0.61472	参考库存:40011
TGF3020-SM	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN	1:¥345.78 25:¥307.36 100:¥268.94 250:¥245.888	参考库存:3403
HMC695LP4E	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 x4 Active mult, 11.4 - 13.2 GHz Output	1:¥275.0872 5:¥260.0243 10:¥253.7302 25:¥228.0566	参考库存:3135