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分立半导体
CSD87355Q5DT参考图片

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CSD87355Q5DT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V Powerblock N ch MOSFET
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库存:39,783(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥14.6787
3669.675
500
¥12.8368
6418.4
1,000
¥10.5994
10599.4
2,500
¥9.9101
24775.25
5,000
¥9.5259
47629.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LSON-CLIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
13.7 nC, 31.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
6 mm
系列
CSD87355Q5D
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
90 S , 151 S
下降时间
3 ns, 6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 14 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 27 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 10 ns
商品其它信息
优势价格,CSD87355Q5DT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 A 1PHFW 1.5A STD 100V
1:¥646.0662
5:¥633.3876
10:¥605.6574
25:¥597.5892
参考库存:34300
分立半导体
稳压二极管
1:¥30.962
10:¥24.8148
100:¥22.6678
200:¥20.4417
500:¥18.3625
参考库存:34305
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-88
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:34310
分立半导体
桥式整流器 15 Amp 600 Volt
1:¥44.183
10:¥39.5726
25:¥36.9623
100:¥34.6571
参考库存:34315
分立半导体
稳压二极管 500mW 9.7V Zener AEC-Q101 Qualified
3,000:¥0.32318
9,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
45,000:¥0.24634
参考库存:34320
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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