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分立半导体
CSD17581Q3AT参考图片

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CSD17581Q3AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Channel NexFET
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库存:7,539(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.537
55.37
100
¥4.2375
423.75
250
¥4.2375
1059.375
500
¥3.7403
1870.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD17581Q3A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
78 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
27.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17581Q3AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
参考库存:6919
分立半导体
双向可控硅 400V 40A 100(1-3)Ma
1:¥64.3196
10:¥57.9351
25:¥52.7936
100:¥47.6408
参考库存:4386
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DGTL NPN 50V 100MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
8,000:¥0.32996
24,000:查看
参考库存:166303
分立半导体
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
1:¥14.0572
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
1,000:¥6.9043
参考库存:8335
分立半导体
双向可控硅 600V 30A 50-50-50mA
1:¥35.5046
10:¥28.6568
100:¥26.0465
250:¥23.5944
500:¥20.5208
参考库存:5432
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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