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分立半导体
IRFSL38N20DPBF参考图片

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IRFSL38N20DPBF

  • Infineon / IR
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  • MOSFET PLANAR_MOSFETS
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库存:1,617(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.6514
33.6514
10
¥28.589
285.89
100
¥24.747
2474.7
250
¥23.5153
5878.825
500
¥21.0519
10525.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
54 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
320 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
4.5 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
47 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
95 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001557568
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,IRFSL38N20DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25V VHF Mixer NPN
1:¥1.8419
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
参考库存:80895
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整流器 1.0A 50V
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
5,000:¥0.5537
参考库存:32937
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
1:¥3.2996
10:¥2.3052
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
2,000:¥0.69156
参考库存:36484
分立半导体
整流器 800V 8A UltraFast
1:¥7.3789
10:¥6.3054
100:¥4.8477
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
参考库存:11001
分立半导体
稳压二极管 200mW 30V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:24728
  • 海量现货

    50万现货SKU

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