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分立半导体
SH8M11TB1参考图片

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SH8M11TB1

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A
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数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
2,500
¥1.8758
4689.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms, 70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.9 nC, 4.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
3 ns, 12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns, 18 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns, 35 ns
典型接通延迟时间
4 ns, 9 ns
商品其它信息
优势价格，SH8M11TB1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMNH10H028SK3-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W
1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
2,500:¥4.6104
参考库存:13113
PMV27UPEAR
Nexperia
分立半导体
MOSFET PMV27UPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥2.7685
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
参考库存:69050
SBR2065D1-13
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 65Vrrm 0.4mA 0.63Vf 140Ifsm SBR
1:¥6.7574
10:¥5.6274
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
2,500:¥2.9154
参考库存:23467
BSC015NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET LV POWER MOS
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5597
500:¥6.6896
1,000:¥5.2771
5,000:¥5.2771
参考库存:13889
MBRD20100CT-13
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A Dual SBR 100Vrrm 150Ifsm 0.84
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.9097
参考库存:99771

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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