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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	GeneSiC Semiconductor
产品种类	肖特基二极管与整流器
RoHS	是
产品	Schottky Silicon Carbide Diodes
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220
If - 正向电流	2 A
Vrrm - 重复反向电压	1200 V
Vf - 正向电压	1.8 V
Ifsm - 正向浪涌电流	18 A
技术	SiC
Ir - 反向电流	8 uA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
系列	GB02SLT12
封装	Tube
工作温度范围	- 55 C to + 175 C
商标	GeneSiC Semiconductor
Pd-功率耗散	42 W
产品类型	Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量	50
子类别	Diodes & Rectifiers
trr - 反向恢复时间	17 ns
单位重量	2.300 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JAN1N4493C	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管	100:¥171.195 250:¥157.0587 500:¥149.5329	参考库存:42838
JANTX1N4111DUR-1/TR	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管	100:¥204.7786 200:¥187.9529 500:¥178.879	参考库存:42843
JANTXV1N4121D-1/TR	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管	100:¥195.0154 200:¥178.9581 500:¥170.3588	参考库存:42848
2EZ82D2/TR8	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode	1,500:¥12.3735 4,500:¥11.9102	参考库存:42853
JANTXV1N4627CUR-1/TR	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管	100:¥326.344 200:¥304.5124	参考库存:42858