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分立半导体

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FF600R17KE3_B2

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库存:52,229(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7,150.0411
7150.0411
5
¥7,035.7755
35178.8775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
在25 C的连续集电极电流
950 A
封装 / 箱体
IHM130
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FF600R17KE3B2NOSA1 SP000100601
商品其它信息
优势价格,FF600R17KE3_B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Turbo II Ultrafast High Rectifier
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
2,000:¥1.1752
参考库存:32572
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
参考库存:20159
分立半导体
整流器 7V 225mW Dual
1:¥2.8476
10:¥1.8193
100:¥0.78422
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.46104
参考库存:94646
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Comp Dual 20V 20V 4.5A IC 47mOhm
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.7007
参考库存:23858
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR
1:¥16.2946
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
参考库存:8930
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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