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产品分类

分立半导体
DMTH43M8LPSQ-13参考图片

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DMTH43M8LPSQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
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库存:19,974(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.6501
76.501
100
¥5.876
587.6
500
¥5.1867
2593.35
1,000
¥4.0906
4090.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH43M8
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.5 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
优势价格,DMTH43M8LPSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
1:¥55.709
10:¥50.3302
25:¥48.025
100:¥41.6518
250:¥39.7986
参考库存:15691
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:14238
分立半导体
整流器 Freds 200V - SMB-e3
1:¥3.7629
10:¥2.9154
100:¥2.1696
500:¥1.7854
参考库存:16755
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 13 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:1997
分立半导体
桥式整流器 VRRM 100V 2A SMD MBS Bridge Rectifier
1:¥6.6896
10:¥5.1528
100:¥3.8985
500:¥3.3222
5,000:¥2.1696
10,000:查看
参考库存:75969
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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