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分立半导体
DMT10H015LFG-13参考图片

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DMT10H015LFG-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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3,000
¥3.4578
10373.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
33.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
DMT10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.7 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-40HFLR10S05
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 100 Volt 40 Amp
1:¥95.5076
10:¥85.9817
50:¥78.2977
100:¥70.6928
参考库存:33575
F1857DH600
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 55A 240VAC MODULE SCR/DIODE
1:¥321.6545
10:¥306.1283
25:¥299.5178
50:¥292.4553
100:¥283.8447
参考库存:33580
TK7A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25
1:¥12.3735
10:¥9.9892
100:¥7.6275
500:¥6.7348
参考库存:33585
JANTXV1N5619
Semtech
分立半导体
稳压二极管 D MET 1A FAST 600V HRV
1:¥79.7554
10:¥72.5347
25:¥67.0768
50:¥63.4721
参考库存:10402
VS-41HFR20
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 200 Volt 40 Amp
1:¥71.6872
10:¥64.5456
50:¥58.7826
100:¥53.0987
参考库存:33592

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