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分立半导体
CSD18513Q5A参考图片

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CSD18513Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V N CH MOSFET
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数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥6.9947
69.947
100
¥5.3901
539.01
500
¥4.7686
2384.3
2,500
¥3.3335
8333.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
59 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18513Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
89 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,CSD18513Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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50:¥367.5212
100:¥362.6848
250:¥342.4013
参考库存:41547
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稳压二极管 1W, 36V, 5% ZENER DIODE, SMA
1:¥4.1471
10:¥2.9945
100:¥1.7741
1,000:¥0.75258
1,800:¥0.65314
参考库存:41552
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稳压二极管 39 Volt 200mW 5%
20,000:¥0.34578
24,000:¥0.32996
48,000:¥0.30736
100,000:¥0.26894
参考库存:41557
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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