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分立半导体

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CG2H80030D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
16.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
3 A
输出功率
30 W
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
工作频率
8 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
410 mOhms
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CG2H80030D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N3611E3/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥41.1094
174:¥41.1094
200:¥37.8098
500:¥34.4198
1,000:¥30.0467
参考库存:33234
1N4740APE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥4.4974
8,000:¥4.3279
参考库存:33239
RMPG06GHE3_A/100
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 1A, 400V, 150NS, FS, MINIGPPRECT.
12,000:¥1.4012
26,000:¥1.3334
参考库存:33244
DMG2302UK-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥0.37629
20,000:¥0.35369
参考库存:157732
BZD17C3V9P-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219 ECO-E3
50,000:¥0.90626
参考库存:33251

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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