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分立半导体
CSD19536KTTT参考图片

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CSD19536KTTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Channel NexFET Power MOSFET
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库存:5,134(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.7251
38.7251
10
¥34.804
348.04
50
¥34.804
1740.2
100
¥28.5099
2850.99
250
¥26.7358
6683.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
272 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
118 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD19536KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
329 S
下降时间
6 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,CSD19536KTTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 1A
1:¥3.616
10:¥2.5312
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:292248
分立半导体
PIN 二极管 Ls=1.5nH SOD-323 Single
1:¥5.989
10:¥5.2658
100:¥4.0454
250:¥3.2883
3,000:¥2.3165
6,000:查看
参考库存:18970
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 60V
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
参考库存:6782
分立半导体
桥式整流器 2A 600V
1:¥5.9212
10:¥4.5313
100:¥3.1527
1,000:¥2.3391
5,000:¥1.9775
参考库存:6364
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-CURRENT SWITCHING
1:¥4.9946
10:¥4.0906
100:¥2.4973
1,000:¥1.9323
参考库存:11766
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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