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分立半导体
IRF60DM206参考图片

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IRF60DM206

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 60V, 130A, DirectFET 2.9mOhm, 133nC Og
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库存:29,049(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.9729
22.9729
10
¥19.0518
190.518
100
¥15.2889
1528.89
250
¥13.221
3305.25
4,800
¥11.0627
53100.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-ME
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
130 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
133 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
商标名
StrongIRFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
宽度
5.05 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
148 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001561876
商品其它信息
优势价格,IRF60DM206的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 80 V 98 mOhm MOSFET
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0905
1,000:¥1.6159
1,500:¥1.6159
参考库存:32753
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥255.5721
5:¥244.1252
10:¥236.4412
25:¥217.299
参考库存:6620
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50Vcbo 35Vceo 4.0Vebo 150mA 10pF
1:¥53.2456
10:¥52.7936
25:¥48.1041
100:¥43.4146
参考库存:32760
分立半导体
整流器 Hyperfst 2A 200V Fred Pt Rectfr
1:¥3.6838
10:¥2.5086
100:¥1.695
500:¥1.356
1,000:¥1.02152
3,500:¥0.94468
参考库存:32765
分立半导体
整流器 300 Volt 12 Amp
1:¥54.0931
10:¥48.6352
50:¥44.3412
100:¥40.0359
参考库存:32770
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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