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分立半导体
CSD19532KTTT参考图片

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CSD19532KTTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
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库存:5,788(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.8993
19.8993
10
¥16.9048
169.048
50
¥16.9048
845.24
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
19.7 mm
长度
9.25 mm
产品
Power MOSFET
系列
CSD19532KTT
晶体管类型
1 N-Channel
类型
N-Channel MOSFET
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
2 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,CSD19532KTTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Dual 2x8A 200V FRED Pt
1:¥8.9157
10:¥7.3111
100:¥5.6048
500:¥4.8251
1,000:¥3.8081
2,000:¥3.8081
参考库存:12232
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 30A TO-247-3L SiC Schottky Diode
1:¥161.364
5:¥155.2959
10:¥149.2278
25:¥137.1594
参考库存:5319
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥7.2998
10:¥6.3506
100:¥4.9381
1,000:¥2.9493
5,000:¥2.3956
参考库存:30181
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1.5 A 40 V SCHOTTKY
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
5,000:¥0.68365
参考库存:95873
分立半导体
MOSFET PT8 30/12V Dual Nch Power Trench MOSFET
1:¥14.6787
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
3,000:¥6.7687
6,000:查看
参考库存:13955
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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