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分立半导体
TGF2977-SM参考图片

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TGF2977-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
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数量单价合计
1
¥185.5686
185.5686
25
¥160.5165
4012.9125
100
¥138.8544
13885.44
250
¥129.0912
32272.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
326 mA
输出功率
6 W
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
8.4 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Tray
配置
Single
高度
0.203 mm
长度
3 mm
工作频率
DC to 12 GHz
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
TGF2977-SMEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1127257
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
优势价格，TGF2977-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HUF75645P3
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.7578
500:¥13.221
参考库存:12467
IRFP264PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 250V HEXFET MOSFET
1:¥40.9512
10:¥33.1203
100:¥30.2727
250:¥26.894
参考库存:13054
MPG06J-E3/54
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 600 Volt 1.0 Amp 40 Amp IFSM
1:¥4.3844
10:¥2.4408
100:¥1.3108
500:¥1.05316
5,500:¥0.61472
参考库存:66191
MMBD4448HTS-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 80V 150mW
1:¥2.6894
10:¥1.8193
100:¥0.76049
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
参考库存:62528
B250-13-F
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 50V 2A
1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.356
1,000:¥1.02152
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.82264
参考库存:73175

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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