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分立半导体
MAX2602ESA+T参考图片

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MAX2602ESA+T

  • Maxim Integrated
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
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库存:38,017(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.6463
44.6463
10
¥42.1038
421.038
25
¥33.6514
841.285
50
¥31.9677
1598.385
2,500
¥21.5943
53985.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Maxim Integrated
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MAX2602
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
17 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.3 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
15 V
直流电流增益 hFE 最大值
100 at 250 mA at 3 V
高度
1.58 mm
长度
4.98 mm
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
类型
RF Bipolar Power
宽度
3.99 mm
商标
Maxim Integrated
增益带宽产品fT
1000 MHz
最大直流电集电极电流
1.2 A
Pd-功率耗散
6.4 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
MAX2602
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,MAX2602ESA+T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 700 Volt 7.5 A Zener SuperMESH
1:¥12.2153
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.0738
参考库存:41015
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
1:¥26.3516
10:¥22.3627
100:¥19.436
250:¥18.4416
500:¥16.5206
参考库存:41020
分立半导体
MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
1:¥40.567
10:¥34.4198
100:¥29.8885
250:¥28.3517
1,000:¥21.4361
2,000:查看
参考库存:41025
分立半导体
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A
1:¥46.4091
10:¥39.4144
100:¥34.1938
250:¥32.431
500:¥29.1201
参考库存:41030
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH
1,500:¥4.2488
9,000:¥4.0906
参考库存:41035
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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