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分立半导体
TP2640N3-G P013参考图片

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TP2640N3-G P013

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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库存：36,672(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.379
9.379
10
¥8.6106
86.106
25
¥7.1416
178.54
100
¥6.5314
653.14
250
¥6.0794
1519.85
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
180 mA
Rds On-漏源导通电阻
15 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，TP2640N3-G P013的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-16CDH02HM3/I
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10:¥47.1775
25:¥42.488
50:¥40.6461
参考库存:42086
RJH1CD7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥41.6518
10:¥37.1883
25:¥33.5045
50:¥31.9677
参考库存:42091

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