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分立半导体
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A2T09D400-23NR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09D400-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
150
¥942.6008
141390.12
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 70 V
增益
17.9 dB
输出功率
93 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4L2S-7
封装
Reel
工作频率
716 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
零件号别名
935318726528
单位重量
5.285 g
商品其它信息
优势价格，A2T09D400-23NR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP35N60M2-EP
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET
1:¥33.5836
10:¥28.589
100:¥24.747
250:¥23.5153
参考库存:10279
SS8P2CL-M3/87A
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肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 20 Volt
6,500:¥1.7289
13,000:¥1.6724
19,500:¥1.6046
参考库存:35023
VS-3EJU06-M3/6B
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 FRED Pt 600V-SlimSMA
14,000:¥0.89157
28,000:¥0.82264
参考库存:35028
APTDF60H1201G
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Diode
100:¥285.5397
250:¥266.4766
参考库存:35033
2EZ100D10E3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:35038

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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