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FF200R12KE3

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数量单价合计
1
¥867.1394
867.1394
5
¥851.229
4256.145
10
¥812.8881
8128.881
25
¥785.8472
19646.18
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.05 kW
封装 / 箱体
IS5a ( 62 mm )-7
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF200R12KE3HOSA1 SP000100735
商品其它信息
优势价格，FF200R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT55B5V1 L1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 5v1
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.83733
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.29945
参考库存:48430
BZT52B15-G RHG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 350mW 2% 15V
1:¥1.7628
10:¥1.6159
100:¥0.90626
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.29154
参考库存:48435
BZV55B27 L1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 27v
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.80682
1,000:¥0.29945
2,500:¥0.28476
参考库存:48440
BZV55C11 L0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 11v
1:¥1.7628
10:¥1.4577
100:¥0.97632
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:48445
BZT52B15S RR
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 15V
1:¥1.8419
10:¥1.6159
100:¥0.91417
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.29154
参考库存:48450

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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