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分立半导体
SQM40081EL_GE3参考图片

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SQM40081EL_GE3

  • Vishay
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-263
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库存：6,305(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
8.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
230 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
92 S
下降时间
153 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
230 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
16 ns
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZVP4525GTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET P-Chnl 250V
1:¥4.9946
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
参考库存:21959
STGP19NC60HD
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 19 A - 600 V very fast IGBT
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:56116
IPB015N08N5ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-2
1:¥46.4091
10:¥39.4144
100:¥34.1938
250:¥32.431
1,000:¥24.5097
2,000:查看
参考库存:14975
MSE1PGHM3/89A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1.0 Amp 400 Volt 20 Amp IFSM
1:¥3.2318
10:¥1.8306
100:¥0.9831
500:¥0.78422
4,500:¥0.46104
9,000:查看
参考库存:118467
IHW40N60RF
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
1:¥35.2673
10:¥29.9676
100:¥25.9674
250:¥24.5888
500:¥22.0576
参考库存:3579

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    50万现货SKU

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