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分立半导体
IPB025N10N3GATMA1参考图片

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IPB025N10N3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥49.4036
49.4036
10
¥42.036
420.36
100
¥36.4199
3641.99
250
¥34.578
8644.5
1,000
¥26.1256
26125.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
206 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
84 ns
典型接通延迟时间
34 ns
零件号别名
G IPB025N10N3 IPB25N1N3GXT SP000469888
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB025N10N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD27C120P RQ
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 120 Volt 0.8 Watt 5%
10,000:¥0.86784
20,000:¥0.81473
50,000:¥0.72998
参考库存:37401
DBL204GHC1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 2A,400V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.
5,000:¥1.4238
参考库存:37406
S1DLHRQ
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 200V, GLASS PASSIVATED SMF RECTIFIER
20,000:¥0.37629
50,000:¥0.33787
100,000:¥0.31527
参考库存:37411
TSS54U RG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky 150mW
20,000:¥0.39211
24,000:¥0.36838
48,000:¥0.34578
100,000:¥0.30736
参考库存:37416
RS1KHF2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 800V, GP FR SMD RECTIFIER
15,000:¥0.54579
22,500:¥0.49155
45,000:¥0.43844
97,500:¥0.4068
参考库存:37421

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