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分立半导体
IGW40N65H5AXKSA1参考图片

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IGW40N65H5AXKSA1

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数量单价合计
1
¥46.5673
46.5673
10
¥39.5726
395.726
100
¥34.2729
3427.29
250
¥32.5779
8144.475
500
¥29.1992
14599.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
74 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40N65H5A SP001187510
商品其它信息
优势价格,IGW40N65H5AXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
4,000:¥1.8419
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10:¥17.4472
100:¥15.594
250:¥14.5996
600:¥13.673
参考库存:44936
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桥式整流器 3A 400V-1000V Glass Pass Bridge Rect
1:¥5.1528
10:¥4.3844
100:¥3.2544
500:¥2.3843
3,000:¥1.6385
6,000:查看
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分立半导体
桥式整流器
2,000:¥7.9891
2,600:¥7.4241
5,000:¥7.1416
参考库存:44946
分立半导体
桥式整流器 1A,200V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
5,000:¥1.1865
参考库存:44951
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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