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分立半导体

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STGFW20V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
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数量单价合计
1
¥24.3628
24.3628
10
¥20.7468
207.468
100
¥17.9783
1797.83
250
¥17.063
4265.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
52 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGFW20V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，STGFW20V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK14A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch MOS 14A 450V 45W 1800pF 0.34
1:¥23.3571
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.221
参考库存:35150
RN2115MFV,L3F
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:35155
S8006DTP
Littelfuse
分立半导体
SCR 6A 800V
1:¥10.5994
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7743
1,000:¥4.4748
参考库存:35160
MG06300D-BN4MM
Littelfuse
分立半导体
IGBT 模块 600V 300A Dual
1:¥938.6797
5:¥920.2381
10:¥877.3546
参考库存:35165
F1842CAH1000
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 40A 380VAC MODULE SCR/DIODE
1:¥806.82
10:¥768.40
25:¥750.9528
50:¥733.4378
参考库存:35170

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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