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SIZ200DT-T1-GE3参考图片

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SIZ200DT-T1-GE3

  • Vishay
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S
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数量单价合计
1
¥7.91
7.91
10
¥6.5766
65.766
100
¥5.0511
505.11
500
¥4.3392
2169.6
1,000
¥3.4239
3423.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-3x3S-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
61 A, 60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms, 5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 16 V, 20 V
Qg-栅极电荷
28 nC, 30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay
正向跨导 - 最小值
118 S, 105 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格，SIZ200DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S3ABHR5
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A, 50V, GLASS PASSIVATED SMB RECTIFIER
3,400:¥0.78422
4,250:¥0.73789
9,350:¥0.67574
24,650:¥0.65314
参考库存:38166
GB100XCP12-227
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
IGBT 模块 1200V 100A SIC IGBT CoPak
150:¥1,327.8743
参考库存:38171
SK36A R3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,60V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
3,600:¥0.82264
9,000:¥0.791
参考库存:38176
RS1DLHR2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 200V, GP SMF FAST RECOVERY
15,000:¥0.46895
22,500:¥0.42262
45,000:¥0.37629
97,500:¥0.35369
参考库存:38181
SBS24HRGG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,40V, THIN MINI SCHOTTKY BRIDGE RECT.
5,000:¥1.5707
参考库存:38186

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