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分立半导体
RJH65D27BDPQ-A0#T2参考图片

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RJH65D27BDPQ-A0#T2

  • Renesas Electronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT - 650V/50A/TO-247A
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数量单价合计
1
¥60.7827
60.7827
10
¥54.6355
546.355
25
¥49.7878
1244.695
50
¥46.1831
2309.155
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247A-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.3 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RJH65D27BDPQ
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Renesas Electronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 1 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，RJH65D27BDPQ-A0#T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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